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    新的对称电压抑制器脉冲峰值功率和增加的功率容量

    新的对称电压抑制器脉冲峰值功率和增加的功率容量

    增加允许脉冲功率和功率容量设计的功能和技术的对称硅电压抑制器(SVS)正在讨论中。建议改进的半导体元件,其中包含隐藏N'-层与降低电阻率恒定的活动区域局限在半导体元件,其中一个完整的双面散热器冷却。通过计算机模拟的方法和实验研究SVS根据隐藏N'-层的位置和其他特征上的特征。这表明,新的器件具有低动态电阻的电压-电流特性,受理脉冲耗散功率超过60kW的每1cm²约50焦耳每1cm²的有源区有源区和电源容量。